Фотоприемник

    С основными элементами мы познакомились в прошлый раз.  В этой статье разберем более подробней фотоприемник.

   Главными материалами, которые используются в фотоприемнике, являются  полупроводниковые материалы. 

       В основе работы фотоприемника лежит явление фотоэффекта. В результате поглощения фотонов энергией, превышающей энергию запрещенной зоны, происходит переход электрона из валентной зоны в зону проводимости.  Под действием напряжения на электронно - дырочные пары появляется электрический ток. Он образуется за счет движения электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне.

     Образование электронно-дырочных пар в полупроводнике обеспечивается путем разделения носителей заряда. В основе лежит p-n-переход. Одним из таких элементов называется фотодиод.

     На практике применяется несколько разновидностей фотоприемников. К ним относятся такие виды:

• p - i - n  фотодиоды;
• лавинные фотодиоды;
• фототранзиторы.

     Их мы и рассмотрим в следующий раз.

   Фотодиоды изготавливаются из разных материалов. Для различных материалов различна длина волны светового излучения, в которых достигается максимальный эффект фотодиода. Например:

• для кремния -   400-1000 нм
• для германия - 600-1600 нм
• GaAs  -              800-1000 нм
• InGaAs -          1000-1700 нм